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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
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功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：26A€80A
输入电容：7850pF@15V
功率：3W
栅极电荷：175nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：散装
输入电容：8200pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@15V
连续漏极电流：26A€80A
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E260ATTB1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：26A€80A
输入电容：7850pF@15V
功率：3W
栅极电荷：175nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：3.1mΩ@26A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
