采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2738GR-E1-AX
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：15mΩ@10A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.7V@200µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：14.5A€47A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
