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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：12.4nC@10V
类型：N沟道
功率：50W
导通电阻：23mΩ@35A，10V
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H07NTAG
工作温度：150℃
功率：2.64W€33.8W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@12V
连续漏极电流：18.5A€66A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
