采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：400W
阈值电压：3.5V@2.5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@300V
连续漏极电流：49.2A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@24.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
阈值电压：2.5V@5mA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
工作温度：150℃
输入电容：7200pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
阈值电压：2.5V@5mA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
工作温度：150℃
输入电容：7200pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：400W
阈值电压：3.5V@2.5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@300V
连续漏极电流：49.2A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@24.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@5mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E180ATTB1
阈值电压：2.5V@5mA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.4mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
工作温度：150℃
输入电容：7200pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
