采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3G07CGNC16
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3G07CGNC16
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3G07CGNC16
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3G07CGNC16
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
