采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5016FNX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
