品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M5
工作温度:150℃
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包装方式:管件
输入电容:1250pF@100V
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类型:N沟道
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
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类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M5
工作温度:150℃
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:2000pF@25V
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类型:N沟道
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销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
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漏源电压:650V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
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类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@900µA
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栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF20N65M5
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
输入电容:1345pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF20N65M5
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
输入电容:1345pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17E65W,S1X
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.5V@900µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17E65W,S1X
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.5V@900µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: