品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-H
工作温度:150℃
功率:1W€19W
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4900}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.6W€24W
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:820pF@15V
阈值电压:2.3V@1mA
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.6W€24W
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:820pF@15V
阈值电压:2.3V@1mA
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":700}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":700}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":700}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-H
工作温度:150℃
功率:1W€19W
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":700}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W€19W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: