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集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
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包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
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晶体管类型:NPN
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规格型号(MPN):MJD122T4
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库存:
品牌:ST
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
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规格型号(MPN):MJD122T4
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
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包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122T4
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
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晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
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