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销售单位：个

规格型号(MPN)：STA302A

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：4A

功率：3W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

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ECCN：EAR99

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

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晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

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集射极击穿电压(Vceo)：100V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STA302A

集射极击穿电压(Vceo)：50V

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晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

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晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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晶体管类型：NPN

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晶体管类型：NPN

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规格型号(MPN)：TIP102

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规格型号(MPN)：TIP107

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