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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
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栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
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功率：2W
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
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栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
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连续漏极电流：6A
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：46nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
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栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
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