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    工作温度: 150℃
    漏源电压: 100V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1000+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8M51HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V€1550pF@25V

    连续漏极电流:3A€2.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@50V

    连续漏极电流:4.5A€14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:86mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@20V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:18Ω@80mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS123 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS123 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    输入电容:14pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI10526 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI10526

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD175N10TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N10TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10,"17+":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3480-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€84W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3600pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K361NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K361NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ015P10HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015P10HZGTR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ015P10HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K52FRATB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K52FRATB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K52FRATB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8M51GZETB 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8M51GZETB 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8M51GZETB

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V€1550pF@25V

    连续漏极电流:3A€2.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8M51HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V€1550pF@25V

    连续漏极电流:3A€2.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3462-TL-W 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3462-TL-W 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH3462-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:3.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:785mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P130SPTL1 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P130SPTL1 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P130SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS123 起订107个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS123 起订107个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@50V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@50V

    连续漏极电流:4.5A€14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:86mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8M51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V€950pF@25V

    连续漏极电流:2A€1.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1400ANH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1400ANH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€48W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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