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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K52FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
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功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
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连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
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功率：1.8W
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ECCN：EAR99
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输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
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阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
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品牌：ROHM
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功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
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品牌：ROHM
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工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
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规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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功率：1.8W
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ECCN：EAR99
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输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K51TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
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输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K52FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N815R，LF
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：103mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K52FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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