包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2170T100

集射极击穿电压(Vceo)：90V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：90MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1.5mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2170T100

集射极击穿电压(Vceo)：90V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1