品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LXHF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LXHF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K344R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: