品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7900,"13+":16000,"14+":71789,"19+":24000,"9999":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":80000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EC4401C-TL
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":72000,"14+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01S-K-TL-E
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":113686}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000,"18+":360000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH5617-TL-E
工作温度:150℃
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":408000,"14+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01SS-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.3V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01C-TB-H
工作温度:150℃
功率:250mW
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000,"18+":360000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH5617-TL-E
工作温度:150℃
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: