品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1A025APT2CR
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8K1TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDFP03N150CG
工作温度:150℃
功率:2W€32W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025ATTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N05TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU4N52K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:334pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@1.25A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K318R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:107mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1335-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:3.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZL025P01TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF025N03FRATL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU4N52K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:334pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@1.25A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZL025P01TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR-G
工作温度:150℃
功率:2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C025TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: