包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8M31TB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11NM50N
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":47956}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-P-TL-H
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":47956}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-P-TL-H
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: