采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15N65M5
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
