采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28NM50N
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210000，"11+"：700，"14+"：4200，"17+"：2100，"18+"：3099}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1450-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28NM50N
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28NM50N
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28NM50N
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF25NM60ND
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF25NM60ND
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28NM50N
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP28NM50N
漏源电压：500V
连续漏极电流：21A
工作温度：150℃
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
输入电容：1735pF@25V
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
功率：150W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP28NM50N
漏源电压：500V
连续漏极电流：21A
工作温度：150℃
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
输入电容：1735pF@25V
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
功率：150W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
