品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ120N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N60M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: