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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：200，"16+"：50，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
