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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：T2N7002BK，LM
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002KFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW€170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：136A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5R906NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002KFU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
