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    工作温度: 150℃
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 12A
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:40+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

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    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

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    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

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    功率:110W

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    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

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    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

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    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A50D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订2000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订2000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订1250个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订1250个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A50D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1211}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订84个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订84个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1211}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订84个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5012DPP-E0#T2 起订84个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":1211}

    规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2

    漏源电压:500V

    工作温度:150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    包装方式:管件

    导通电阻:620mΩ@6A,10V

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M2 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A50D(STA4,Q,M) 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A50D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP18N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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