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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
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阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
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类型：P沟道
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栅极电荷：1.2nC@4V
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连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36FS，LF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
栅极电荷：1.6nC@4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：800mA
输入电容：100pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
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