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    工作温度: 150℃
    类型: 2N沟道(双)
    行业应用: 汽车
    功率: 250mW
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    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000,"18+":360000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH5617-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000,"18+":360000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH5617-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订19个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订19个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订40000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订40000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH5617-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH5617-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":3000,"18+":360000}

    规格型号(MPN):CPH5617-TL-E

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    输入电容:7pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:150mA

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6N35AFE,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N35AFE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:36pF@10V

    功率:250mW

    阈值电压:1V@100µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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