采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
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功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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品牌：ANBON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002E
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E
功率：350mW
栅极电荷：2.4nC@10V
导通电阻：5Ω@300mA，10V
工作温度：150℃
输入电容：18pF@30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：340mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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