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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4450，"14+"：13030，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：98631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
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功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：98631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：36000，"16+"：74400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
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输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4450，"14+"：13030，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：36000，"16+"：74400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3476-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
