品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2057}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6431-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6342-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2990}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP89,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:375mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@340mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP225,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6336-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8M51TR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:325mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":230,"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8697R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:11.6mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP220,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":116490}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8657-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@20V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:59mΩ@2A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP220,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8672-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-TP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:1.5W
集电集截止电流(Icbo):10nA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6342-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":15000,"19+":19400,"22+":176,"MI+":2422}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP220,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP230,135
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.55V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:P沟道
导通电阻:17Ω@170mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: