销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
输入电容:6pF@5V
功率:400mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1.8V@100µA
工作温度:150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:20mA@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1A025APT2CR
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:6pF@5V
功率:400mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:1.8V@100µA
工作温度:150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:20mA@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":6000}
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:6pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:10V@1µA
工作温度:150℃
包装方式:带盒(TB)
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231N0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231N0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP232P0501TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:450mA
类型:P沟道
导通电阻:1.25Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP232N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP232P0501TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:450mA
类型:P沟道
导通电阻:1.25Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP264N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: