品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@40V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
连续漏极电流:20A
功率:192W
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1500pF@25V
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:290mΩ@10A,10V
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@40V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@40V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: