采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8J2TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6M3TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K361NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUQ050N02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6U24TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：1.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ020P03TCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U13TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ045N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：3000，"21+"：990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP61，115
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1.25W
集电集截止电流(Icbo)：50nA
特征频率：200MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1613
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E050ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT06P10-TP
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5K2TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ040P02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U27TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
