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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5270，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2408-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2409-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2314-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2409-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J352F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：617700，"14+"：6000，"15+"：47000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2314-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
