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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":17001}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N65K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF21N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF21N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF21N65M5

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF15N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF15N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF15N65M5

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:816pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N62K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:875pF@50V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.26Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN 达林顿管 2SB1351 起订10个装
    SANKEN 达林顿管 2SB1351 起订10个装

    品牌:SANKEN

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SB1351

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):12A

    功率:30W

    集电集截止电流(Icbo):10µA

    特征频率:130MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,10A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@10A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF20N65M5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF20N65M5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF20N65M5

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1345pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N62K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N62K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:875pF@50V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":17001}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK32A12N1,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK32A12N1,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK32A12N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@500µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@60V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N65K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N65K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N65K3 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N65K3

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P60Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK1002DPP-E0#T2 起订94个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK1002DPP-E0#T2 起订94个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":145,"17+":177,"20+":162}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK1002DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6450pF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订1034个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订1034个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP201-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP201-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:30W

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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