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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
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漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：130W
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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功率：130W
阈值电压：4V@610µA
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
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功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20N65M5
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：130W
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
阈值电压：4V@610µA
栅极电荷：25nC@10V
漏源电压：650V
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：130W
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
阈值电压：4V@610µA
栅极电荷：25nC@10V
漏源电压：650V
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20N65M5
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14G65W，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20N65M5
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1434pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
