包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP15N65M5

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：22nC@10V

包装方式：管件

输入电容：810pF@100V

连续漏极电流：11A

类型：N沟道

导通电阻：340mΩ@5.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STB23NM50N

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：45nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1330pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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功率：125W

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STB23NM50N

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：45nC@10V

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输入电容：1330pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STB23NM50N

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：45nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1330pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

漏源电压：500V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STB23NM50N

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：45nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1330pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STB23NM50N

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：45nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1330pF@50V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

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包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

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工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STB21N65M5

工作温度：150℃

功率：125W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：50nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1950pF@100V

连续漏极电流：17A

类型：N沟道

导通电阻：190mΩ@8.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1