品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
输入电容:6.5nF@25V
阈值电压:4V@250μA
功率:220W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:80V
连续漏极电流:120A
栅极电荷:163nC@10V
导通电阻:6mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC2D9N08H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:166W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:4.38nF@40V
连续漏极电流:23A€154A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.53nF@40V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
功率:3W€136W
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:40A
输入电容:1.96nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: