销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1800psc

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

栅极电荷：110nC

功率：200W

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

反向传输电容：810pF@25V

功率：270W

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：13.2nF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

栅极电荷：275nC@10V

阈值电压：2.4V@250μA

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

漏源电压：40V

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：15.78nF@20V

功率：375W

导通电阻：990mΩ@20A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTQ200N10T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：550W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：152nC@10V

包装方式：管件

输入电容：9.4nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.5mΩ@10V，50A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：32nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.3nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：72pF@20V

导通电阻：1.2mΩ@10V，50A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G

功率：110W

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

漏源电压：40V

输入电容：4.3nF@20V

栅极电荷：32nC@4.5V

反向传输电容：72pF@20V

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：2V@250μA

导通电阻：1.2mΩ@10V，50A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.05V@1mA

栅极电荷：109nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：7.966nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.8mΩ@25A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1