品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:散装
输入电容:3.02nF@1000V
连续漏极电流:79A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":0}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":0}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"14+":0}
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
导通电阻:3.2mΩ
连续漏极电流:80A
包装方式:Reel
阈值电压:2V
漏源电压:60V
栅极电荷:124nC
功率:310W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
导通电阻:3.2mΩ
连续漏极电流:80A
包装方式:Reel
阈值电压:2V
漏源电压:60V
栅极电荷:124nC
功率:310W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: