品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L-34
工作温度:-55℃~+175℃
功率:57W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:24nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:31mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:113W
阈值电压:3.3V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:110A
类型:MOSFET
导通电阻:4.5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:1V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:22mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N08N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:223nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
输入电容:2.59nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-50SLHAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:112nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:410A
类型:MOSFET
导通电阻:900μΩ
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF55
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:2V
栅极电荷:189nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:5mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L-08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:30nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:6.2mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S4-06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:58W
阈值电压:3V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:5.9mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:11A€3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB117N20NFD
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:2V
栅极电荷:87nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:84A
类型:MOSFET
导通电阻:10.3mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA100H65DFB2
栅极阈值电压(Vge(th)):2V@15V,100A
关断延迟时间:130ns
反向恢复时间:123ns
关断损耗:1.4mJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:288nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2.2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L-35
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:35mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGB8207BNT4G
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.6V@4V,20A
集电极截止电流(Ices):365V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: