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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DIT195N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：7.6nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
漏源电压：85V
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DIT195N08
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.6nF@25V
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：195A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT195N08
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.95mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
输入电容：7.6nF@25V
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：195A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
导通电阻：2mΩ@75A，10V
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