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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€211W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：88nC@15V
输入电容：1.8nF@450V
连续漏极电流：5.8A€44A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@450V
导通电阻：43mΩ@18V，20A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€211W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：88nC@15V
输入电容：1.8nF@450V
连续漏极电流：5.8A€44A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@450V
导通电阻：43mΩ@18V，20A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.154nF@800V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.9pF@800V
导通电阻：80mΩ@20V，20A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
