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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：3.125nF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：3.125nF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：3.125nF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：375W
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栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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