品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT15P04D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:1个P沟道
反向传输电容:35pF@20V
导通电阻:29mΩ@10V,7.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
阈值电压:1.5V@250μA
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
输入电容:2.694nF@10V
类型:1个P沟道
栅极电荷:36nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20P04D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:35pF@20V
导通电阻:29mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20P04D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:35pF@20V
导通电阻:29mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20P04D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:35pF@20V
导通电阻:29mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:1.2nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
输入电容:50pF@10V
漏源电压:20V
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:1.2nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
输入电容:50pF@10V
漏源电压:20V
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
连续漏极电流:840mA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: