包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC060SMA070B

工作温度：-55℃~+175℃

功率：143W

阈值电压：1.9V

栅极电荷：56nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：39A

类型：MOSFET

导通电阻：69mΩ

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC060SMA070B

工作温度：-55℃~+175℃

功率：143W

阈值电压：1.9V

栅极电荷：56nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：39A

类型：MOSFET

导通电阻：69mΩ

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSC060SMA070B

工作温度：-55℃~+175℃

功率：143W

阈值电压：1.9V

栅极电荷：56nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：39A

类型：MOSFET

导通电阻：69mΩ

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGF20H65DFB2

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，20A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：0.214mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.265mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，20A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：0.214mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：0.265mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1psc

规格型号(MPN)：MSC060SMA070B

功率：143W

导通电阻：69mΩ

连续漏极电流：39A

阈值电压：1.9V

栅极电荷：56nC

包装方式：Tube

漏源电压：700V

工作温度：-55℃~+175℃

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGWA20IH65DF

栅极阈值电压(Vge(th))：2.05V@15V，20A

关断延迟时间：120ns

关断损耗：0.11mJ

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：FS(场截止)

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1