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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y33-60P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：2.59nF@30V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8156T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：268W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.102nF@50V
连续漏极电流：163A
类型：1个N沟道
反向传输电容：19.8pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，20A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y33-60P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：2.59nF@30V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8156T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：268W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.102nF@50V
连续漏极电流：163A
类型：1个N沟道
反向传输电容：19.8pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，20A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8156T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：268W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.102nF@50V
连续漏极电流：163A
类型：1个N沟道
反向传输电容：19.8pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，20A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@50V
连续漏极电流：179A€21A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.2nF@50V
连续漏极电流：179A€21A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP150N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：210W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.115nF@30V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：395pF@30V
导通电阻：4mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP150N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：210W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.115nF@30V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：395pF@30V
导通电阻：4mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP150N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：210W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.115nF@30V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：395pF@30V
导通电阻：4mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8156T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：268W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：4.102nF@50V
连续漏极电流：163A
类型：1个N沟道
反向传输电容：19.8pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，20A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2233
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
