品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
包装方式:Reel
漏源电压:40V
功率:34W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:21nC
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3.3V
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
栅极阈值电压(Vge(th)):1.25V@4V,6A
关断延迟时间:4.8μs
集电极截止电流(Ices):400V
栅极电荷:21nC
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:34W
阈值电压:3.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
关断延迟时间:4.8μs
工作温度:-55℃~+175℃
集电极截止电流(Ices):400V
栅极阈值电压(Vge(th)):1.25V@4V,6A
栅极电荷:21nC
包装清单:商品主体 * 1
库存: