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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：3.07nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，46A
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP083N15A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.04nF@25V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.3mΩ@10V，75A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
