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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：15.75nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：15.75nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
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连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
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连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
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连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：15.75nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
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功率：150W
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ECCN：EAR99
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
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功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
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连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
输入电容：9.778nF@25V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
栅极电荷：195nC@10V
功率：500W
连续漏极电流：410A
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
输入电容：9.778nF@25V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
栅极电荷：195nC@10V
功率：500W
连续漏极电流：410A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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