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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S406
工作温度：-55℃~+175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S406
输入电容：2.55nF@25V
栅极电荷：32nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：75A
功率：58W
阈值电压：4V@26μA
导通电阻：5.9mΩ@75A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
